收藏本站
NTJS3151P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
8
V GS = ? 4.5 V
T J = 25 ° C
8
V DS ≤ ? 12 V
6
? 2.4 V
V GS = ? 3.4 V
? 2 V
6
4
4
2
? 1.6 V
2
125 ° C
0
0
1
2
3
4
? 1.4 V
? 1.2 V
5
0
0
25 ° C
0.5 1
1.5
T J = ? 55 ° C
2 2.5 3
3.5
4
4.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.1
V GS = ? 4.5 V
0.5
V GS = ? 1.8 V
T J = 25 ° C
0.075
T J = 125 ° C
0.4
0.3
0.05
T J = 25 ° C
0.2
0.025
T J = ? 55 ° C
0.1
V GS = ? 2.5 V
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
V GS = ? 4.5 V
6.5 7.5
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
1.4
I D = ? 3.3 A
V GS = ? 4.5 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1000
T J = 125 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
0
2
4 6
8
10
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTJS3157NT4G MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
NTJS4151PT1 MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
NTJS4160NT1G MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6
NTJS4405NT4G MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
NTK3043NT5G MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723
NTK3134NT5G MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-723
NTK3139PT5G MOSFET P-CH 20V 660MA SOT-723
NTK3142PT1G MOSFET P-CHAN 260MA 20V SOT-723
相关代理商/技术参数
NTJS3151PT2 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3151PT2G 功能描述:MOSFET 12V 3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
NTJS3157NT1 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT1G 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT2 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT2G 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTJS3157NT4 功能描述:MOSFET 20V 4A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube